近期，英伟达的使者再度踏入位于韩国天安的三星电子封装工厂，对HBM3E（高带宽存储）系列新品进行了严格审查。这一轮考察仅相隔短短一个月，透露出三星向英伟达提供的产品质量检测已进入决定性阶段。
据悉，英伟达的代表于3月10日抵达三星天安工厂，对HBM3E的高带宽存储技术进行了细致的封装和质量检测审查。此行紧随2月初的检查，反映出英伟达对三星HBM3E项目的进展给予了极高的重视，并期望能在本季度实现产品的顺利交付。
三星的天安工厂作为其先进的封装生产基地，负责完成半导体晶圆的最终封装，并运用硅通孔（TSV）技术进行HBM堆叠封装。鉴于HBM产品不仅需自身验证，还需确保与GPU等设备的兼容性，英伟达预计将频繁造访三星天安工厂，以确保生产进度与预期相符。三星方面透露：“我们已为英伟达的审查团队做了充分的准备，确保审查过程顺利进行。”
在上一季度的财报电话会议上，三星曾宣布计划在本月内开始向主要客户供应HBM3E 8层堆叠产品，并计划在今年上半年推出12层堆叠版本。随着第一季度结束的倒计时，三星内部面临着巨大的压力，正全力以赴确保供货进度。
值得注意的是，为了加快HBM3E的生产优化，三星甚至将原本负责HBM4研发的团队调拨至HBM3E的生产线，旨在提升良率和产品稳定性。业内消息人士透露，三星不仅在优化HBM3E的生产，还在加速高端DRAM产品的良率提升，以增强其在市场中的竞争力。
目前，全球HBM市场由SK海力士主导，其HBM3E已获得英伟达H200等AI芯片的订单。而三星正通过优化第四代10nm级（1a）DRAM的电路设计，提升HBM3E的良率，以期赢得英伟达的订单，从而重塑HBM市场的竞争格局。
