SK海力士重磅发布，引领存储技术新高峰，全球首推321层1Tb TLC 4D NAND闪存已投入量产，不仅传输速度和能效实现飞跃，更将市场供应期锁定2025年上半年。
与238层NAND闪存前辈相较，传输速度激增12%，读取性能上升13%，能效更是飞跃提升10%以上，为市场带来前所未有的存储体验。
SK海力士再度刷新技术标杆，率先实现300层以上NAND闪存量产，产品针对AI的低功耗高性能需求而生，应用领域持续拓展。采用“3-Plug”工艺，巧妙分三次完成通孔工艺流程，并优化连接，创新低变形材料及自动排列技术，技术团队巧妙地将上一代开发平台迁移至321层新品，生产效率提升59%，堪称行业革新。
SK海力士NAND闪存开发副社长崔正达透露：“公司以300层NAND闪存量产为起点，巩固在AI数据中心固态硬盘、端侧AI等AI存储市场的领导地位。结合HBM等DRAM领域的高性能存储产品，SK海力士正迈向‘全方位AI存储器供应商’的辉煌未来。”
