在科技浪潮的涌动中，闪迪公司近期揭开了2025年新品SSD的神秘面纱，其中高带宽闪存HBF技术尤为引人注目。
回顾上周，西部数据盛大举办投资者日，描绘了公司未来蓝图，并透露了NAND闪存业务的剥离计划，预计将在2025年2月21日圆满落幕。届时，西部数据SSD产品线将全面拥抱SanDisk闪迪的技术。分拆后的闪迪也同步发布了多款新品，HBF技术无疑成为了服务器存储领域的一记重拳。
SanDisk透露，2025年将有三款SSD新品问世，均搭载218层BiCS8 FLASH 3D闪存技术。首先是QLC PC SSD，配备PCIe 4.0×4接口，容量从512GB到2TB不等，外形可选M.2 2230。其次是TLC PCIe 5.0 SSD，读写速度高达14500 MB/s和14000 MB/s，容量从512GB到4TB，功耗仅7W，预计第二季度上市。最后是面向数据中心市场的DC SN670，采用SanDisk的UltraQLC技术，支持PCIe 5.0，容量高达122.88TB和61.44TB。
值得一提的是，闪迪还推出了HBF技术，这是经过带宽优化的NAND产品，其设计灵感源自HBM，大量I/O引脚和多层堆叠的结合，提供了接近存储级的内存解决方案。HBF与HBM共享电气接口，带宽相近，但介质从DRAM切换至NAND，协议有所调整，因此不完全兼容。HBF实现8层到16层堆叠，可部分替代HBM，通过逻辑芯片和中介层连接到GPU/CPU/TPU，提供HBF+HBM的自定义组合产品。目前，这一解决方案已引起业界关注，若三星、SK海力士和美光支持，有望成为存储级内存的佼佼者。
据TrendForce报道，SanDisk与铠侠的NAND闪存合资企业占据了2024年第三季度全球NAND闪存位产量的三分之一。铠侠致力于提高218层NAND闪存的产量，而SanDisk则专注于优化112/162层NAND闪存的生产，以实现收入最大化。SanDisk正在推进BiCS9 FLASH 3D闪存技术，首款1Tb TLC芯片将超过300层。
