最新消息透露，三星有望在第十代NAND产品线中引入长江存储的创新混合键合技术。在此之前，长江存储已推出第五代3D TLC NAND闪存，其拥有294层堆叠和232个有源层，采用Xtacking 4.0架构，实现了行业领先的垂直栅密度。尽管长江存储未曾对外公开披露其新架构和闪存详情，但新上市的致态TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已证实搭载此款新架构，标志着国产存储的重大突破。
长江存储早在四年前便将“晶栈（Xtacking）”架构的混合键合技术应用于3D NAND闪存，并在技术上积累了众多专利。三星此前采用的COP（Cell-on-Periphery）结构在层数超过400层时，下层外围电路的压力会降低可靠性。而采用混合键合技术后，无需凸块，电路缩短，显著提升了性能和散热效率。
三星计划于2025年下半年开始量产第十代V-NAND闪存，预计总层数将达420至430层。同时，SK海力士也与长江存储展开专利协议谈判。目前，Xperi、长江存储和台积电共同掌握了多数混合键合技术的专利。三星选择与长江存储合作，主要考虑到第十代至第十二代V-NAND闪存的发展将不可避免地依赖于长江存储的专利技术，SK海力士也可能面临类似的挑战。
