氮化镓

氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，广泛应用于高电子迁移率晶体管（HEMT）等电子器件中。其具有高电子迁移率、高击穿电场、高热导率等特点，能够承受较高的温度和电压。氮化镓器件在功率电子、射频通信、光伏等领域有着广泛应用，是当今半导体技术发展的重要方向之一。