SAM,全称为Single Atom Memory,中文通常译为“单原子存储器”。它是一种前沿的存储技术,利用单个原子在材料表面的吸附和脱附来存储信息。与传统存储技术相比,SAM具有极高的存储密度和可能的速度优势,因为信息存储在单个原子上,无需复杂的电荷存储机制。这种技术基于量子力学原理,其存储单元可以以极小的体积存储大量数据。SAM的实现需要精确控制原子在材料表面的排列和操作,目前仍处于研发阶段,但未来有望在数据存储领域带来革命性的变化。
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